Neue Wide Bandgap(WBG)-Materialien wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid ermöglichen es als Leistungs-Halbleiter, sehr effizient elektrische Energie in der E-Mobilität, in PV-Wechselrichtern oder Netzteilen umzuwandeln. Die Entwicklung neuer Halbleitermaterialien wird vor allem durch die Anwendungen getrieben.
Das Kooperations-Seminar WBG-Halbleiter gibt einen Einblick in die komplexen Zusammenhänge zwischen der Herstellung der Leistungs-Halbleitermaterialien und den Anwendungseigenschaften in leistungselektronischen Systemen. Nanotechnologisches Grundverständnis ist bei Herstellung und Charakterisierung von Halbleitern von entscheidender Bedeutung für die resultierenden Eigenschaften und die Qualität.
Alle Personen, die mehr über die technischen Prozesse und Wechselwirkungen entlang der Wertschöpfungskette moderner Leistungs-Halbleiter erfahren wollen. Insbesondere Entwickler und Anwender, aber auch Vertrieb, Produktmanagement usw.
Einführung
09:30 Registrierung
10:00 Begrüßung
B. Bitterlich und P. Grambow
10:10 Einführung Nanotechnologie
P. Grambow, Nanoinitiative Bayern GmbH
10:20 Einführung Leistungselektronik
B. Bitterlich, Cluster Leistungselektronik im ECPE e.V.
Vorträge
10:30 Anwendungen als Treiber der WBG-Materialentwicklung:
Beispiel SiC
Muzaffer Albayrak
Wolfspeed
11:15 Vom Chip zur Anwendung: Herstellprozesse,
Aufbau und Anwendungseigenschaften
Peter Friedrichs
Infineon
12:00 Impuls: Wechselwirkungen zwischen
Material-Entwicklung und Nanotechnologie
Marcus Weth
Nanosurf
12:30 Mittagspause
13:30 GaN Leistungstransistoren für Elektrofahrzeuge der nächsten Generation:
Herausforderungen und Potentiale
GaN Power Transistors f. Next-Generation Electric Vehicles: Challenges and
Chances
Jens Baringhaus
Bosch
14:00 Beitrag GaN Valley Initiative
Marnix Tack
BelGaN
14:30 Gallium Oxid Material Basis: Kristalle, Wafer und Epitaxie
Thomas Schröder
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
15:00 Kaffeepause
15:30 Neuartige uWBG Leistungshalbleiter
Dr. Oliver Hilt
Ferdinand-Braun-Institut
Gemeinsame Diskussion
16:00 AlN—ein uWBG der nächsten Generation
Jörg Schulze
Fraunhofer IISB
Nächster Termin:
15. Oktober 2024
Veranstaltungsort:
Fraunhofer IISB
Schottkystr.10, 91058 Erlangen
Anmeldeschluss:
8. Oktober 2024, 14:00
249€ Firmen
95€ Universitäten und Institute
0€ Studierende (Kopie des Ausweises
erforderlich, begrenzte Plätze)
Alle Preise zzgl. MwSt.
Cluster Leistungselektronik
im ECPE e.V.
Krista Schmidt
Tel: +49 0911 810288-16
krista.schmidt(at)ecpe.org
Cluster Nanotechnologie /
Nanoinitiative Bayern GmbH
Dr. Justus Hermannsdörfer
Tel: +49 931 31 89377
justus.hermannsdoerfer@nanoinitiative-bayern.de
Die ersten Seminare spannten einen großen Bogen von gut wärmeleitfähigen und stabilen Isolationswerkstoffen über leitfähig gemachte Kunststoffe bzw. Oberflächen bis hin zu innovativen neuen Materialansätzen für die Aufbau und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik. Für alle Teilnehmer war es ein interessanter „Blick über den Tellerrand“ und die Gelegenheit, neue Kontakte außerhalb der eigenen Branche zu knüpfen.
Der offizielle Startschuß für die gemeinsamen Aktivitäten des Clusters Leistungselektronik und des Clusters Nanotechnologie fällt am 12. Juli 2022 in Nürnberg. Das Kooperationsseminar adressiert die Stakeholder aus beiden Clustern mit dem Ziel Materialhersteller mit Anwendern zusammenzubringen, um gegenseitig technische Informationen auszutauschen und das gemeinsame Potenzial zu identifizieren und auszunutzen. Schwerpunkte der Kick-Off Veranstaltung: hohe Wärmeleitfähigkeit und Alterungsbeständigkeit, bspw. bei Verguss- und anderen Isolationsmaterialien sowie bei Thermal Interface Materialien (TIM).
Nach dem sehr erfolgreichen Kick-Off-Seminar im Juli befasste sich das Folge-Seminar am 8. November 2022 mit den Schwerpunkten Strategien für die Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT) bzw. Funktionalisierung von Kunststoffen.
Nach den beiden sehr erfolgreichen ersten Seminar befasste sich das Folge-Seminar am 13. September 2024 mit den Schwerpunkten Oberflächen und Analytik.
